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作为汽车重要组成部分的发动机 ,一直是人们研究的重点。汽车发动机性能的提高 ,在很大程度上依赖于材料的选用和加工工艺等因素。本文介绍了现代汽车发动机主要零部件新材料选用、结构设计及工艺现状 ,指出了未来汽车发动机新材料的发展趋势和应用前景 相似文献
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多用途放射性废物焚烧系统工程验证试验 总被引:7,自引:4,他引:3
对建立的多用途放射性废物焚烧系统,进行了工程验证试验。试验主要包括固体废物(包括树脂)和废油焚烧及烟气净化时系统的性能测定、非放示踪试验、72h连续运行考验等。经过共计500多小时的试验,验证了工艺流程、主要设备结构、仪表测控及系统安全等设计的可行性和可靠性;系统运行平稳,设备及仪表工作正常。本系统可一炉多用,其处理能力、减容系数、焚烧灰中残炭率以及系统总去污系数等指标,均达到了设计要求。 相似文献
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通过在SOI-LIGBT中引入电阻场板和一个p-MOSFET结构,IGBT的性能得以大幅提高.p-MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到.在IGBT关断过程中,p-MOSFET将被开启,作为阳极短路结构起作用,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失,IGBT快速关断.而且由于电场受到电阻场板的影响,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区,几乎消去了普通SOI-LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段.这两个因素使得新结构的关断时间大大减少.在IGBT的开启状态,由于p-MOSFET不导通,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致.模拟结果表明,新结构至少能增加25%的耐压,减少65%的关断时间. 相似文献
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Koudymov A. Xuhong Hu Simin K. Simin G. Ali M. Yang J. Asif Khan M. 《Electron Device Letters, IEEE》2002,23(8):449-451
We demonstrate a novel RF switch based on a multifinger AlGaN/GaN MOSHFET. Record high saturation current and breakdown voltage, extremely low gate leakage current and low gate capacitance of the III-N MOSHFETs make them excellent active elements for RF switching. Using a single element test circuit with 1-mm wide multifinger MOSHFET we achieved 0.27 dB insertion loss and more than 40 dB isolation. These parameters can be further improved by impedance matching and by using submicron gate devices. The maximum switching power extrapolated from the results for 1A/mm 100 /spl mu/m wide device exceeds 40 W for a 1-mm wide 2-A/mm MOSHFET. 相似文献
958.
959.
131I-epidepride的制备与SD大鼠体内分布特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用双氧水标记法和氯胺 -T法进行13 1I -epidepride标记 ,考察标记物的纯度及稳定性 ,并进行SD大鼠体内分布特性研究。实验结果表明 ,双氧水法和氯胺 -T法标记率分别为 97.4 %和 5 2 .9%。标记物的生理盐水溶液室温放置 4h ,放化纯大于 90 %。大鼠静脉注射13 1I -epide pride的生理盐水溶液后 ,纹状体与小脑比值在注射后 32 0min时高达 2 37:1。13 1I -epidepride进入血液后很快被组织摄取 ,其中以肺的早期摄取最高 (2 .11± 1.0 5 ) %ID·g- 1,各脏器的清除均较快 (T1/2 <4h) ,甲状腺的摄取率随时间的延长而增加。 相似文献
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